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  • 供应单晶硅片 研磨片

  • 裸片、研磨片参数规格生长方式：直拉CZ型号：N型/磷、*、锑P型/硼（掺杂元素）晶向：111/100电阻：0.0015-20Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）厚度：200-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）平整度TIR：<5μm弯曲度Bow:<20μm翘曲度TTV:<20μm粗糙度nm:<5nm主要用途有：1、用于同步辐射实验样品载体；2、用于磁控溅射生长样品；3、用于X射线分析晶体等。

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